東芝は2025年6月4日、樹脂絶縁型SiC(炭化ケイ素)パワー半導体モジュールの新技術を発表した。独自の「小面積チップの分散配置設計」と「AIを活用した設計最適化」により、従来のセラミック絶縁型モジュールと比較して熱抵抗を21%低減し、冷却システムのサイズを61%削減できる可能性を示した。
All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved. This site contains articles under license from AspenCore LLC.
ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。
メディア一覧 | 公式SNS | 広告案内 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | RSS | 運営会社 | 採用情報 | 推奨環境